Huimao -termoelektrisen jäähdytysmoduulin ominaisuudet
Termoelektrisen jäähdytysmoduulin jäähdytysmateriaalit on kytketty kuparinjohtimen välilehteen kahdella suojakerroksella. Siten ne voivat tehokkaasti välttää kuparin ja muiden haitallisten elementtien diffuusion ja mahdollistaa termoelektrisen jäähdytysmoduulin olevan paljon pidempi käyttöikän. Huimaon termoelektrisen jäähdytysmoduulin odotettu käyttöikä ylittää yli 300 tuhatta tuntia, ja ne on suunniteltu erittäin suvaitsevaiseksi nykyisten suuntien usein tapahtuvien muutosten iskun suhteen.
Käyttö korkeassa lämpötilassa
Uuden tyyppisen juotosmateriaalin mukauttamisen myötä, joka on hyvin erilainen kuin kilpailijamme käyttämät juotosmateriaalit, Huimaon juotosmateriaalilla on nyt paljon korkeampi sulamispiste. Nämä juotosmateriaalit kestävät lämpöä jopa 125 - 200 ℃.
Täydellinen kosteussuojaus
Jokainen termoelektrinen jäähdytysmoduuli on tuotettu olevan täysin suojattu kosteilta. Suojausmekanismi tehdään tyhjiössä silikonipinnoitteen kanssa. Tämä voi tehokkaasti estää vettä ja kosteutta vahingoittamasta termoelektrisen jäähdytysmoduulin sisäistä rakennetta.
Eri eritelmät
Huimao on investoinut voimakkaasti ostamaan erityyppisiä tuotantolaitteita tuottamaan epästandardia termoelektristä jäähdytysmoduulia erilaisilla eritelmillä. Tällä hetkellä yrityksemme pystyy tuottamaan termoelektristä jäähdytysmoduulia 7, 17 127, 161 ja 199 sähköparia, pinta -ala on 4,2x4,2 mm - 62x62 mm, virta vaihtelee välillä 2A - 30A. Muita eritelmiä voidaan valmistaa asiakkaidemme erityisvaatimusten perusteella.
Huimao on sitoutunut kehittämään suuritehot moduuleja laajentamaan termoelektrisen jäähdytysmoduulin käytännön käyttöä. Vuosien kovan työn jälkeen yritys pystyy nyt tuottamaan moduuleja, joiden tehotiheys on kaksi kertaa korkeampi kuin tavallisten moduulien. Lisäksi enemmän Huimao on onnistuneesti kehittänyt ja valmistellut kaksisuuntaiset suuritehoiset termoelektriset jäähdytysmoduulit, joiden lämpötilaero on yli 100 ℃ ja kymmenien wattien jäähdytysteho. Lisäksi kaikki moduulit on suunniteltu alhaisella sisäisellä vastustuskestävyydellä (0,03Ω min), joka soveltuu termoelektriseen muodostumiseen.
